金沙,金沙官网

欢迎来到重庆金沙计量检测校准实验室
服务热线:023-60314379

资讯资讯

News information

金沙官网

联系人:曾先生

手机:133-6829-2238

座机:023-60314379

QQ/微信:2851812315

邮箱:2851812315@qq.com

重庆实验室:重庆北碚区水土镇万宝大道184号

东莞实验室:东莞市道蓉镇厚德上梁川工业区

江苏实验室:昆山市经济技术开发区昆嘉路379号

数字电桥的电感器件的多种元件、材料特性测量能力

编辑:金沙官网        发布日期:2017-10-11        点击量:977
  数字电桥就是能够测量电感,电容,电阻,阻抗的仪器,这是一个传统习惯的说法,最早的阻抗测量用的是真正的电桥方法,随着现代模拟和数字技术的发展,早已经淘汰了这种测量方法,但LCR电桥的叫法一直沿用至今。如果是使用了微处理器的LCR电桥则叫LCR数字电桥。一般用户又称这些为:LCR测试仪、LCR电桥、LCR表、LCR Meter等等。
  
  数字电桥原理
  
  历史
  
  数字电桥(卷名:电工)
  
  digital bridge
  
  采用数字技术测量阻抗参数的电桥。数字技术是将传统的模拟量转换为数字量,再进行数字运算、传递和处理等。
  
  1972年,国际上首次出现带微处理器的数字电容电桥,它将模拟电路、数字电路与计算机技术结合在一起,为阻抗测量仪器开辟了一条新路。
  
  原理
  
  数字电桥的测量对象为阻抗元件的参数,包括交流电阻R、电感L及其品质因数Q,电容C及其损耗因数D。因此,又常称数字电桥为数字式LCR测量仪。其测量用频率自工频到约100千赫。基本测量误差为0.02%,一般均在0.1%左右。
  
  平衡式电桥测试原理
  
  Zx=Ux/Ix=Rr*Ux/Ur
  
  此式为一相量关系式。如使用相敏检波器(PSD)分别测出Ux和Ur对应于某一参考相量的同相量分量和正交分量,然后经模数转换(A/D)器将其转化为数字量,再由计算机进行复数运算,即可得到组成被测阻抗Zx的电阻值与电抗值。
  
  从图中的线路及工作原理可见,数字电桥只是继承了电桥传统的称呼。实际上它已失去传统经典交流电桥的组成形式,而是在更高的水平上回到以欧姆定律为基础的测量阻抗的电流表、电压表的线路和原理中。
  
  数字电桥可用于计量测试部门对阻抗量具的检定与传递,以及在一般部门中对阻抗元件的常规测量。很多数字电桥带有标准接口,可根据被测值的准确度对被测元件进行自动分档;也可直接连接到自动测试系统,用于元件生产线上对产品自动检验,以实现生产过程的质量控制。80年代中期,通用的误差低于0.1%的数字电桥有几十种。数字电桥正向着更高准确度、更多功能、高速、集成化以及智能化程度方面发展。
  
  广泛的测量对象
  
  半导体元件:电容器、电感器、磁芯、电阻器、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数测量。
  
  其它元件:印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估。
  
  介质材料:塑料、陶瓷和其它材料的介电常数的损耗角评估。
  
  磁性材料:铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估。
  
  半导体材料:半导体材料的介电常数,导电率和C-V特性。
  
  液晶材料:液晶单元的介电子常数、弹性常数等C-V特性。
  
  多种元件、材料特性测量能力
  
  多参数混合显示功能
  
  多参数同时显示可满足复杂元件各种分布参数的全面观察与评估要求,而不必反复切换测量参数。
  
  电感L和其直流电阻DCR可以同时测量显示,显著提高电感测量效率。
  
  揭示电感器件的多种特性
  
  使用内部/外部直流偏置,结合各种扫描测试功能,可以精确地分析磁性材料、电感器件的性能。
  
  通过偏置电流叠加测试功能,可以精确测量高频电感器件、通讯变压器,滤波器的小电流叠加性能。使用外部电流叠加装置,可使偏置电流达40A以精确分析高功率、大电流电感器件。
  
  精确的陶瓷电容测量
  
  1kHz和1MHz是陶瓷材料和电容器的主要测试频率。陶瓷电容器具有低损耗值的特征,同时其容量、损耗施加之交流信号会产生明显的变化。
  
  仪器具有宽频测试能力并可提供良好的准确度,六位分辨率和自动电平控制(ALC)功能等,中以满足陶瓷材料和电容器可靠、准确的测试需要。
  
  液晶单元的电容特性测量
  
  电容-电压(C-Vac)特性是评价液晶材料性能的主要方法,常规仪器测量液晶单元的C-Vac特性遇到一个问题是最大测试电压不够。
  
  使用扩展测量选件可提供分辨率为1%及最高达20Vms的可编程测试信号电平,使它能在最佳条件下进行液晶材料的电容特性测量。
  
  半导体材料和元件的测量
  
  进行MOS型半导体制造工艺评价时,需要氧化层电容和衬底杂质密度这些参数,这些可从C-Vdc特性的测量结果推导出来。
  
  通过提供的直流源,结合各种扫描功能,可以方便地完成C-VDC特性的测量。
  
  为了测试晶圆上的半导体器件,需要延伸电缆和探头,仪器的1m/2m/4m延伸电缆选件可将电缆延伸的误差降至最小。
  
  各种二极管、三极管、MOS管的分布电容也是本仪器的测试内容。
金沙官网
金沙官网
XML 地图 | Sitemap 地图